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GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 176.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

941-GTVA262701FAV2R0

N° de fab. :

GTVA262701FA-V2-R0

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Fiche technique:

GTVA262701FA-V2-R0 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	176,66 €	176,66 €
	149,18 €	1 491,80 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	149,18 €	7 459,00 €
100	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	H-87265J-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	125 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Température de fonctionnement max.:	+ 225 C
Marque:	MACOM
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	17 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	2.69 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.496 GHz
Alimentation en sortie:	270 W
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V