ICPB1005-1-110I

Microchip Technology
579-ICPB1005-1-110I
ICPB1005-1-110I

Fab. :

Description :
FET GaN DC-14 GHz 25W Discrete GaN HEMT

Cycle de vie:
Commande spéciale d''usine:
Obtenez un devis afin de vérifier la tarification actuelle, le délai de disponibilité et les exigences de commande du fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.

Disponibilité

Stock:
Indisponible

Prix (EUR)

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Microchip
Catégorie du produit: FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :
 Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
Marque: Microchip Technology
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Tension drain-porte max.: 80 V
Fréquence de fonctionnement max.: 14 GHz
Fréquence de fonctionnement min.: 0 Hz
Conditionnement: Bulk
Type de produit: GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine: 5
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: GaN HEMT
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.b.2

PRODUITS PRÉSENTÉS
MICROCHIP