MSC025SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC025SMA120B4
MSC025SMA120B4

Fab. :

Description :
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

Modèle de ECAO:
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En stock: 258

Stock:
258 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
32,52 € 32,52 €
31,11 € 311,10 €
30,28 € 908,40 €
29,35 € 3 522,00 €
28,53 € 7 703,10 €
510 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Microchip
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
103 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.8 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
500 W
Enhancement
Marque: Microchip Technology
Configuration: Single
Temps de descente: 10 ns
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 35 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 35 ns
Délai d'activation standard: 18 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.