Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSC040SMA120S/TR

Name: Microchip MSC040SMA120S/TR
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC040SMA120S/TR
Price: 22.43 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

579-MSC040SMA120S/TR

N° de fab. :

MSC040SMA120S/TR

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL

Fiche technique:

MSC040SMA120S/TR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 8 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 400 Multiples : 400

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 400)
	22,43 €	8 972,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	137 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	303 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	11 ns, 13 ns
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	10 ns, 13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	400
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	44 ns, 46 ns
Délai d'activation standard:	23 ns, 24 ns