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MSC045SMB120B4N

Name: Microchip MSC045SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC045SMB120B4N
Price: 7.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-MSC045SMB120B4N

N° de fab. :

MSC045SMB120B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch

Cycle de vie:

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Fiche technique:

MSC045SMB120B4N Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	49 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	61 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	237 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

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