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MSC060SMA070B4

Name: Microchip MSC060SMA070B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC060SMA070B4
Price: 5.63 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

494-MSC060SMA070B4

N° de fab. :

MSC060SMA070B4

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4

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Fiche technique:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	39 A
Rds On - Résistance drain-source:	75 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	143 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

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