Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSC080SMA330B4N

Name: Microchip MSC080SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMA330B4N
Price: 54.27 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

579-MSC080SMA330B4N

N° de fab. :

MSC080SMA330B4N

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MSC080SMA330B4N Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 1 210

Stock:: 1 210 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 4 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	54,27 €	54,27 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	3.3 kV
Id - Courant continu de fuite:	41 A
Rds On - Résistance drain-source:	105 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.97 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	381 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	32 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	34 ns