Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

PMV50XPAR

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMV50XPAR

N° de fab. :

PMV50XPAR

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.

Fiche technique:

PMV50XPAR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Nexperia PMV50XPAR

Disponibilité

Stock:: Pas en stock, appelez-nous pour demander un devis

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	7.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.096 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	68 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	135 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665703215

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrer les documents:

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET à tranchée et canal P PMVxx

Les MOSFET à tranchée et canal P NXP sont des transistors à effet de champ (FET) à mode amélioré fournis en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Ils utilisent une technologie MOSFET en tranchée et offrent une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET sont idéaux pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.
En savoir plus