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QPD1003

Name: Qorvo QPD1003
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1003
Price: 1493.24 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

772-QPD1003

N° de fab. :

QPD1003

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

Fiche technique:

QPD1003 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	RF-565
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	50 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 2.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	370 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Kit de développement:	QPD1003PCB401
Gain:	19.9 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	540 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1003
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	145 V
Raccourcis pour l'article N°:	1131389
Poids de l''unité:	104,655 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.