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QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

772-QPD1025L

N° de fab. :

QPD1025L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Fiche technique:

QPD1025L Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-1230-4
Id - Courant continu de fuite:	28 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	758 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Dual Gate Dual Drain
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Kit de développement:	QPD1025LEVB1
Gain:	22.9 dB
Tension drain-porte max.:	225 V
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1025L
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Type de transistor:	HEMT
Poids de l''unité:	39,665 g