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SCT3030AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3030AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030AW7TL
Price: 28.21 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-SCT3030AW7TL

N° de fab. :

SCT3030AW7TL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT3030AW7TL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	28,21 €	28,21 €
	25,06 €	250,60 €
	24,01 €	2 401,00 €
	24,00 €	12 000,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	24,00 €	24 000,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	70 A
Rds On - Résistance drain-source:	39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	104 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	267 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	9.4 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT3030AW7
Poids de l''unité:	1,600 g