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SCT3060AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3060AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3060AW7TL
Price: 14.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT3060AW7TL

N° de fab. :

SCT3060AW7TL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L

Fiche technique:

SCT3060AW7TL Fiche technique

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,36 €	14,36 €
	10,67 €	106,70 €
	10,57 €	1 057,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	10,57 €	10 570,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	78 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	58 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	159 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	4.9 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT3060AW7
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

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Specification Sheets

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Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET à 7 broches de type tranchée SiC SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7

Les MOSFET à 7 broches de type tranchée SiC SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 de ROHM Semiconductor utilisent une structure de grille à tranchée propriétaire pour réduire de 50 % la résistance à l'état passant et de 35 % la capacité d'entrée par rapport aux MOSFET SiC de type planaire. Les MOSFET comprennent une broche supplémentaire qui sépare les broches du pilote et de la source d'alimentation, éliminant les effets du composant d'inductance dans la réduction de la tension Vgs, assurant des retards de commutation plus rapides. Les MOSFET de type tranchée ROHM Semiconductor disposent d’une résistance à haute tension, d’une faible résistance à l’état passant, d’une vitesse de commutation rapide, d’un pilotage simple et facile à mettre en parallèle.