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SCT4062KEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KEC11
Price: 9.42 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4062KEC11

N° de fab. :

SCT4062KEC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4062KEC11 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	9,42 €	9,42 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247N-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	81 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	6.5 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4062KE

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Fiche technique

SCT4062KEC11 Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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