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SCT018H65G3-7

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3-7
Price: 7.5 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCT018H65G3-7

N° de fab. :

SCT018H65G3-7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Fiche technique:

SCT018H65G3-7 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	-10 V, 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	79.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	385 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Conditionnement:	Reel
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

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Fiche technique

SCT018H65G3-7 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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