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SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 15.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT018W65G3-4AG

N° de fab. :

SCT018W65G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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	9,31 €	931,00 €
	8,49 €	5 094,00 €
	7,36 €	8 832,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	77 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	398 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	29 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	64 ns
Délai d'activation standard:	24.5 ns

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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