SCT020H120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT020H120G3AG
SCT020H120G3AG

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
21 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
15,86 € 15,86 €
12,70 € 127,00 €
10,98 € 1 098,00 €
10,97 € 5 485,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
9,71 € 9 710,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
AEC-Q100
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: IT
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Type de produit: SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99