SCT020HU120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT020HU120G3AG
SCT020HU120G3AG

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Cycle de vie:
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22
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
19,57 € 19,57 €
14,62 € 146,20 €
12,64 € 1 264,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
11,18 € 6 708,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
121 nC
- 55 C
555 W
Enhancement
AEC-Q101
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: IT
Pays d'origine: JP
Temps de descente: 34 ns
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: SiC MOSFETS
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 57 ns
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 101 ns
Délai d'activation standard: 54 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99