SCT040H65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT040H65G3AG
SCT040H65G3AG

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Modèle de ECAO:
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En stock: 876

Stock:
876 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
10,41 € 10,41 €
7,22 € 72,20 €
5,70 € 570,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
5,32 € 5 320,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
40 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
39.5 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
AEC-Q101
Marque: STMicroelectronics
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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