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SCT040H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H65G3AG
Price: 9.74 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT040H65G3AG

N° de fab. :

SCT040H65G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Fiche technique:

SCT040H65G3AG Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,74 €	9,74 €
	6,74 €	67,40 €
	5,69 €	569,00 €
	5,68 €	2 840,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,84 €	4 840,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	39.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	221 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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