Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SCT040HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040HU65G3AG
Price: 11.32 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SCT040HU65G3AG

N° de fab. :

SCT040HU65G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Complétez votre conception

Fiche technique:

SCT040HU65G3AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SCT040HU65G3AG

En stock: 127

Stock:: 127 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	11,32 €	11,32 €
	8,18 €	81,80 €
	6,65 €	665,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
	5,64 €	3 384,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	266 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Temps de descente:	35.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	57 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	2,320 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SCT040HU65G3AG Fiche technique (PDF)

PCN

SPICE Models

SPICE Model (Compresser)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.