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SCT070H120G3-7

Name: STMicroelectronics SCT070H120G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070H120G3-7
Price: 4.98 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCT070H120G3-7

N° de fab. :

SCT070H120G3-7

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Fiche technique:

SCT070H120G3-7 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	87 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	223 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	IT
Temps de descente:	9.9 ns
Conditionnement:	Reel
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	17.6 ns
Délai d'activation standard:	18.7 ns