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SCT070W120G3-4

Name: STMicroelectronics SCT070W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070W120G3-4
Price: 9.43 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCT070W120G3-4

N° de fab. :

SCT070W120G3-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Fiche technique:

SCT070W120G3-4 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	87 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	236 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	23 ns
Délai d'activation standard:	9.5 ns

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Fiche technique

SCT070W120G3-4 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Italie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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