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SCT070W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT070W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070W120G3-4AG
Price: 10.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT070W120G3-4AG

N° de fab. :

SCT070W120G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	87 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	41 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	236 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	23 ns
Délai d'activation standard:	9.5 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V

Le MOSFET de puissance SiC (carbure de silicium) 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V de STMicroelectronics dispose d'une résistance à l'état passant minimale et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température, en raison des propriétés innovantes et avancées des matériaux à large bande interdite. Le SCTW70N120G2V offre également une diode de corps intrinsèque très rapide et robuste et des capacités de charge de grille et d'entrée extrêmement faibles. Une température nominale élevée de 200 °C permet une conception thermique améliorée des systèmes électroniques de puissance.

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.