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SCT20N120

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N° Mouser :

511-SCT20N120

N° de fab. :

SCT20N120

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET

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Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

SCT20N120 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	239 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	175 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiP247
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Série:	SCT20N120
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

SCT20N120 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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