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SCT20N120AG

Name: STMicroelectronics SCT20N120AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT20N120AG
Price: 14.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT20N120AG

N° de fab. :

SCT20N120AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Fiche technique:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,71 €	14,71 €
	10,43 €	104,30 €
	7,64 €	4 584,00 €
	7,00 €	8 400,00 €
3 000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	239 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	175 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

SCT20N120AG Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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