Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SCT30N120H

Name: STMicroelectronics SCT30N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT30N120H
Price: 21.81 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SCT30N120H

N° de fab. :

SCT30N120H

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

SCT30N120H Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SCT30N120H

En stock: 823

Stock:: 823 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Les quantités supérieures à 823 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	21,81 €	21,81 €
	17,85 €	178,50 €
	15,78 €	1 578,00 €
	15,77 €	7 885,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	15,75 €	15 750,00 €
5 000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H2PAK-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	45 A
Rds On - Résistance drain-source:	90 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	270 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	28 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	SCT30N120H
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Poids de l''unité:	4 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SCT30N120H Fiche technique (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.