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SCTH40N120G2V7AG

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N° Mouser :

511-SCTH40N120G2V7AG

N° de fab. :

SCTH40N120G2V7AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm 33 A

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

SCTH40N120G2V7AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	105 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	63 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	1,892 g

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Fiche technique

SCTH40N120G2V7AG Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTH40N120G2V7AG

Le MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics est développé avec la technologie SiC MOSFET de deuxième génération avancée et INNOVANTE. Ce MOSFET de puissance dispose d'une résistance en marche remarquablement faible par unité de surface et de très bonnes performances de commutation. Le MOSFET de puissance SiC comprend une capacité de jonction en fonctionnement élevée, une charge de grille extrêmement faible et une capacité d'entrée. Ce MOSFET au carbure de silicium intègre une diode à corps intrinsèque très rapide et robuste ; il est homologué AEC-Q101. Le MOSFET SCTH40N120G2V7AG offre une tension drain-source de 1 200 V, une résistance drain-source statique maximale de 105 mΩ et un courant de drain de 33 A. Les applications standard incluent les chargeurs, l'alimentation pour les systèmes d'énergie renouvelable et les convertisseurs CC-CC à haute fréquence .

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.