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SCTHC250N120G3AG

Name: STMicroelectronics SCTHC250N120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTHC250N120G3AG
Price: 66.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCTHC250N120G3AG

N° de fab. :

SCTHC250N120G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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Fiche technique:

SCTHC250N120G3AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	STPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	239 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.5 nC
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Qg - Charge de grille:	304 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	994 W
Qualification:	AEC-Q100
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFET