SCTL35N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTL35N65G2V
SCTL35N65G2V

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 311

Stock:
2 311 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 2311 seront soumises à des commandes minimales.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
14,75 € 14,75 €
10,42 € 104,20 €
8,94 € 894,00 €
8,93 € 4 465,00 €
8,36 € 8 360,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
8,36 € 25 080,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
417 W
Enhancement
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 14 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 35 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
Poids de l''unité: 180 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99