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SCTW100N65G2AG

Name: STMicroelectronics SCTW100N65G2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW100N65G2AG
Price: 25.27 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCTW100N65G2AG

N° de fab. :

SCTW100N65G2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

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Fiche technique:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	69 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	162 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	420 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	IT
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	SCTW100N65G2AG
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	4,500 g