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SCTW90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW90N65G2V
Price: 19.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCTW90N65G2V

N° de fab. :

SCTW90N65G2V

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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Fiche technique:

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	19,97 €	19,97 €
	18,90 €	189,00 €
	17,40 €	1 740,00 €
	17,39 €	10 434,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V
Qg - Charge de grille:	157 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	390 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	IT
Temps de descente:	16 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	38 ns
Série:	SCTW90N
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.