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SCTWA10N120

Name: STMicroelectronics SCTWA10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA10N120
Price: 8.5 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SCTWA10N120

N° de fab. :

SCTWA10N120

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm

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Fiche technique:

SCTWA10N120 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	690 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	21 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	110 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	SCTWA10N120
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	4,430 g