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SCTWA30N120

Name: STMicroelectronics SCTWA30N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA30N120
Price: 13.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCTWA30N120

N° de fab. :

SCTWA30N120

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 80 mOhm typ., 45 A in an HiP247 long leads

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Fiche technique:

SCTWA30N120 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	45 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	270 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Série:	SCTWA30N120
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Poids de l''unité:	6,100 g

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Fiche technique

SCTWA30N120 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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