Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 8.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SGT070R70HTO

N° de fab. :

SGT070R70HTO

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SGT070R70HTO Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SGT070R70HTO

En stock: 355

Stock:: 355 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,57 €	8,57 €
	5,87 €	58,70 €
	4,41 €	441,00 €
	3,74 €	3 740,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1800)
	3,74 €	6 732,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-LL-11
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	8.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	231 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	1800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	7 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	697 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SGT070R70HTO Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT070R70HTO de STMicroelectronics est un transistor haute performance en mode d’amélioration conçu pour des applications exigeantes de conversion d’énergie. Basé sur la technologie au nitrure de gallium (GaN), le SGT070R70HTO de STMicro offre des performances de commutation supérieures avec une faible résistance à l’état passant de 70 mΩ et une charge de grille minimale, permettant une haute efficacité et des pertes réduites dans les opérations à haute fréquence. Avec une tension nominale drain-source de 700 V, le transistor est idéal pour des applications telles que les alimentations électriques, les entraînements à moteur et les systèmes d’énergie renouvelable. Le dispositif présente des performances thermiques robustes et est logé dans un boîtier SONNER compact, ce qui le rend adapté aux conceptions où l'espace et la gestion de la chaleur sont essentiels. La capacité de commutation rapide et la faible capacité d'entrée contribuent à améliorer l'efficacité du système et la densité de puissance, positionnant le SGT070R70HTO comme un choix solide pour les prochaines générations d'électronique de puissance.

Transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™

Les transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™ de STMicroelectronics sont des dispositifs GaN hauteperformance, à mode d'amélioration (normalement désactivé) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes de conduction et une densité de puissance élevée dans les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de récupération inverse nulle, ce qui leur confère une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance traditionnels en silicium.