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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 4.28 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT080R70ILB

N° de fab. :

SGT080R70ILB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT080R70ILB Fiche technique (PDF)

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	4,28 €	4,28 €
	3,01 €	30,10 €
	2,60 €	260,00 €
	2,52 €	1 260,00 €
	2,45 €	2 450,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,37 €	7 110,00 €
24 000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	6.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	5 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Poids de l''unité:	154 mg

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB de STMicroelectronics est un transistor en mode d’amélioration conçu pour des applications de conversion d’énergie à haut rendement. Doté d’une tension nominale drain-source de 700 V et d’une résistance à l’état passant standard de seulement 80 mΩ, le SGT080R70ILB de STMicroelectronics tire parti de la performance de commutation supérieure de la technologie au nitrure de gallium (GaN) pour minimiser les pertes par conduction et commutation. Logé dans un boîtier compact PowerFLAT 8x8 HV, le transistor prend en charge l’exploitation à haute fréquence et est idéal pour une utilisation dans des convertisseurs résonnants, des étages de correction du facteur de puissance (PFC) et des convertisseurs CC-CC. Une charge de grille et une capacité de sortie réduites permettent des transitions plus rapides et une dissipation d’énergie réduite, ce qui rend le SGT080R70ILB parfaitement adapté aux applications exigeantes dans l’électronique grand public, les systèmes industriels et les centres de données.