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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 5.89 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SGT080R70ILB

N° de fab. :

SGT080R70ILB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT080R70ILB Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,89 €	5,89 €
	3,96 €	39,60 €
	2,87 €	287,00 €
	2,69 €	1 345,00 €
	2,46 €	2 460,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,28 €	6 840,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	6.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	188 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	5 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Poids de l''unité:	154 mg