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SGT120R65AL

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N° Mouser :

511-SGT120R65AL

N° de fab. :

SGT120R65AL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

SGT120R65AL Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	15 A
Rds On - Résistance drain-source:	120 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 155 C
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9.7 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	E-Mode
Délai de désactivation type:	8.9 ns
Délai d'activation standard:	4.1 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

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Application Notes

Models

SGT120R65AL Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

SPICE Model (Compresser)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN E-Mode SGT120R65AL 650 V

Capacité de courant maximal PowerGaN 15 A 650 V E-Mode SGT120R65AL de STMicroelectronics combinée à une technologie de boîtier bien établie et une connexion de source Kelvin pour un pilotage de grille optimal. Le composant G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultra-rapide pour permettre une haute densité de puissance et un rendement imbattable. Le SGT120R65AL est disponible en boîtier compact à montage en surface PowerFLAT 5×6 HV aux normes de l’industrie. Les applications standard incluent les adaptateurs PC, les chargeurs muraux USB et la charge sans fil.