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STL21N65M5

Name: STMicroelectronics STL21N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL21N65M5
Price: 4.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL21N65M5

N° de fab. :

STL21N65M5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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Fiche technique:

STL21N65M5 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,65 €	4,65 €
	3,36 €	33,60 €
	2,68 €	268,00 €
	2,52 €	1 260,00 €
	2,30 €	2 300,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,30 €	6 900,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8x8-HV-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	175 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	Mdmesh M5
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Poids de l''unité:	15 g

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Fiche technique

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PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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