TSG65N110CE RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N110CERVG
TSG65N110CE RVG

Fab. :

Description :
FET GaN 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
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Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
18 A
110 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
4 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marque: Taiwan Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 4.8 ns
Conditionnement: Reel
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 5 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Délai de désactivation type: 2.9 ns
Délai d'activation standard: 1.5 ns
Raccourcis pour l'article N°: TSG65N110CE
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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TAIWAN SEMICONDUCTOR

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