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ISO7721BDWR

Name: Texas Instruments ISO7721BDWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-ISO7721BDWR
Price: 3.08 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-ISO7721BDWR

N° de fab. :

ISO7721BDWR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Isolateurs numériques Robust EMC dual-cha nnel 1/1 reinforce A A 595-ISO7721BDW

Fiche technique:

ISO7721BDWR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,08 €	3,08 €
	2,08 €	20,80 €
	1,93 €	48,25 €
	1,68 €	168,00 €
	1,57 €	392,50 €
	1,38 €	690,00 €
	1,17 €	1 170,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	1,01 €	2 020,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Isolateurs numériques
RoHS:
Série:	ISO7721
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-16
Nombre de canaux:	2 Channel
Polarité:	Unidirectional
Débit de données:	100 Mb/s
Tension d'isolation:	5000 Vrms
Type d'isolation:	Capacitive Coupling
Tension d’alimentation - Max.:	5.5 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.25 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	7.3 mA
Délai de propagation:	17 ns
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Kit de développement:	ISO7741EVM
Canaux directs:	1 Channel
Temps de descente max.:	3 ns, 3.5 ns, 3.9 ns
Temps de montée max.:	3 ns, 3.5 ns, 3.9 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	100 mW
Type de produit:	Digital Isolators
Déformation de la largeur d'impulsion:	0.5 ns
Canaux inverses:	1 Channel
Arrêt:	No Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Interface ICs
Type:	High Speed
Poids de l''unité:	765 mg

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Fiche technique

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Application Notes

Models

ISO7721BDWR Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Isolateurs numériques ISO772x/ISO772x-Q1

Les isolateurs numériques ISO772x/ISO772x-Q1 de Texas Instruments sont des isolateurs numériques à double canal de haute performance à niveau d'isolation 5 000 V_RMS (boîtier DW) et 3 000 V_RMS (boîtier D) selon la norme UL 1577. Ces composants sont également certifiés par VDE, TUV, CSA et CQC. L'ISO772x/ISO772x-Q1 procure une haute immunité électromagnétique et de faibles émissions avec une faible consommation d'énergie tout en isolant les E/S numériques CMOS ou LVCMOS. Chaque voie d'isolation possède des mémoires tampons d'entrée et de sortie séparées par une barrière d'isolation en dioxyde de silicium (SiO₂).