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LM74700DDFEVM

Name: Texas Instruments LM74700DDFEVM
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM74700DDFEVM
Price: 54.78 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

595-LM74700DDFEVM

N° de fab. :

LM74700DDFEVM

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation LM74700-Q1 3.2-V to 65-V 80-A IQ automo

Fiche technique:

LM74700DDFEVM Fiche technique (PDF)

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	54,78 €	54,78 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Outils de développement de circuits intégrés pour la gestion de l'alimentation
RoHS:
Produit:	Evaluation Modules
Type:	Ideal Diode
Tension d'entrée:	3.9 V to 60 V
Tension de sortie:	3.9 V to 60 V
L'outil sert à l'évaluation de:	LM74700-Q1
Série:	LM74700DDF
Marque:	Texas Instruments
À utiliser avec:	MOSFET, Battery, I/O Connector
Type de produit:	Power Management IC Development Tools
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools

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Fiche technique

LM74700DDFEVM Fiche technique (PDF)

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STANDARD TERMS FOR EVALUATION MODULES (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 9030820000
CNHTS:: 8543709990
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: États-Unis
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Module d'évaluation LM74700DDFEVM

Le module d'évaluation LM74700DDFEVM de Texas Instruments est configuré pour évaluer le fonctionnement du contrôleur de diode idéale LM74700-Q1 dans le boîtier DDF à 8 broches. Le module d'évaluation LM74700DDFEVM de TI démontre comment un MOSFET de puissance à canal N peut émuler une diode à tension directe très faible avec un faible IQ et un faible courant de fuite circulant à travers le CI. En utilisant ce schéma de conception, le LM74700-Q1 est combiné avec un MOSFET et utilisé en série avec une batterie comme remplacement d'une diode Schottky et d'une PFET dans un circuit de protection contre les inversions de polarité.