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TK25A20D,S5X

Name: Toshiba TK25A20D,S5X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK25A20DS5X
Price: 2.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK25A20DS5X

N° de fab. :

TK25A20D,S5X

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

Fiche technique:

TK25A20D,S5X Fiche technique (PDF)

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	0,663 €	663,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	70 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVII
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	66 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	73 ns
Série:	TK25A20D
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	360 ns
Délai d'activation standard:	120 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.