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TK4P60DB(T6RSS-Q)

Name: Toshiba TK4P60DB(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4P60DBT6RSS-Q
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TK4P60DBT6RSS-Q

N° de fab. :

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

Fiche technique:

TK4P60DB(T6RSS-Q) Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,31 €	1,31 €
	0,821 €	8,21 €
	0,544 €	54,40 €
	0,43 €	215,00 €
	0,401 €	401,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,34 €	680,00 €
	0,32 €	1 280,00 €
	0,318 €	3 180,00 €
	0,311 €	7 464,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	3.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVII
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	TK4P60D
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

TK4P60DB(T6RSS-Q) Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.