Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

C3M0030090K

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-C3M0030090K

N° de fab. :

C3M0030090K

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

C3M0030090K Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

Stock:: Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Produit similaire

Fab. :

Wolfspeed

N° de fab. :

E3M0160120K

Description :

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4, Automotive

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.7 V
Qg - Charge de grille:	87 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	149 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	22 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	6 g