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FDP047N10

Name: onsemi FDP047N10
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP047N10
Price: 4.21 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FDP047N10

N° de fab. :

FDP047N10

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

FDP047N10 Fiche technique (PDF)

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	2,23 €	223,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	164 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	210 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	244 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	386 ns
Série:	FDP047N10
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	344 ns
Délai d'activation standard:	174 ns
Poids de l''unité:	2 g