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FDP2532

Name: onsemi FDP2532
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP2532
Price: 4.73 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FDP2532

N° de fab. :

FDP2532

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench

Fiche technique:

FDP2532 Fiche technique

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	4,73 €	4,73 €
	3,10 €	31,00 €
	2,31 €	231,00 €
	1,94 €	970,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	79 A
Rds On - Résistance drain-source:	16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	107 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	310 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	FDP2532
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FDP2532_NL
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

FDP2532 Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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