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FCB099N65S3

Name: onsemi FCB099N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCB099N65S3
Price: 6.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FCB099N65S3

N° de fab. :

FCB099N65S3

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK

Fiche technique:

FCB099N65S3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,18 €	6,18 €
	4,16 €	41,60 €
	2,86 €	286,00 €
	2,67 €	1 335,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,67 €	2 136,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	99 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	61 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FCB099N65S3
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	7,326 g

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Fiche technique

FCB099N65S3 Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.