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FCP099N65S3

Name: onsemi FCP099N65S3
Brand: onsemi
SKU: 512-FCP099N65S3
Price: 5.63 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FCP099N65S3

N° de fab. :

FCP099N65S3

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG

Fiche technique:

FCP099N65S3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,63 €	5,63 €
	3,00 €	30,00 €
	2,74 €	274,00 €
	2,58 €	1 290,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	79 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	61 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	19 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	FCP099N65S3
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

FCP099N65S3 Fiche technique

Images

Dimensional Outline Drawing (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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