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FCP165N65S3

Name: onsemi FCP165N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCP165N65S3
Price: 3.92 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-FCP165N65S3

N° de fab. :

FCP165N65S3

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

Fiche technique:

FCP165N65S3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,92 €	3,92 €
	2,21 €	22,10 €
	2,00 €	200,00 €
	1,78 €	890,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Rds On - Résistance drain-source:	165 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	39 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	154 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	SuperFET3
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	21 ns
Poids de l''unité:	2 g