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FDB024N06

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N° Mouser :

512-FDB024N06

N° de fab. :

FDB024N06

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 60V N-Channel PowerTrench

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

FDB024N06 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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onsemi

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Description :

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Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	265 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	174 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	395 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	250 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	324 ns
Série:	FDB024N06
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	348 ns
Délai d'activation standard:	134 ns
Poids de l''unité:	4 g