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FDC3535

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N° Mouser :

512-FDC3535

N° de fab. :

FDC3535

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

FDC3535 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SSOT-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	2.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	147 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	14 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	6.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDC3535
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Poids de l''unité:	36 mg

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Fiche technique

FDC3535 Fiche technique

EOL

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FDC3535 P-Channel Power Trench MOSFET

ON Semiconductor's FDC3535 P-Channel Power Trench™ MOSFET is produced using their advanced Power Trench® process that has been optimized for r_DS(on), switching performance, and ruggedness. ON's FDC3535 P-Channel Power Trench™ MOSFET offers -80V V_{DS, -2.1A continuous drain current, 183 mΩ at VGS}_,high performance trench technology for extremely low r_{DS(on)(ON resistance)}, high power and current handling capability in a widely used surface mount package, fast switching speed, 100% UIL testing, and RoHS compliance. These components are ideal for load switch and synchronous rectifier applications.
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