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FDD86102

Name: onsemi FDD86102
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86102
Price: 2.36 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

512-FDD86102

N° de fab. :

FDD86102

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

Fiche technique:

FDD86102 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,36 €	2,36 €
	1,52 €	15,20 €
	1,04 €	104,00 €
	0,912 €	456,00 €
	0,808 €	808,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,763 €	1 907,50 €
	0,725 €	3 625,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.1 V
Qg - Charge de grille:	13.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.1 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	21 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	FDD86102
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

FDD86102 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench^® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low r_DS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.

MOSFETs PowerTrench®

Fairchild propose le plus large éventail de MOSFET PowerTrench® du secteur. Choisissez parmi de multiples technologies le bon MOSFET pour votre application. Fairchild propose des versions à canal N et P de ses MOSFET grâce à son procédé PowerTrench® de pointe, optimisé pour une solidité et des performances de commutation à faible R_DS(on). Ces MOSFET PowerTrench® sont proposés avec différents paramètres pour respecter les besoins de la plupart des applications, comme les commutateurs de charge, la commutation primaire, le traitement mobile, les convertisseurs CC-CC, les redresseurs synchrones et beaucoup d'autres.
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